超快瞬態(tài)吸收顯微成像系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該系統(tǒng)設(shè)計(jì)與奧林巴斯倒置顯微鏡和高速CMOS相機(jī)相結(jié)合，用于檢測(cè)微納樣品的光激發(fā)載流子動(dòng)力學(xué)可視化過程；同時(shí)具備微區(qū)瞬態(tài)反射（透射）光譜和動(dòng)力學(xué)測(cè)試功能。系統(tǒng)同時(shí)具備超快時(shí)間分辨（飛秒）和最高500nm的空間分辨能力。

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更新時(shí)間：2025-11-08

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

光譜系統(tǒng)

光探測(cè)磁共振譜超快瞬態(tài)吸收拉曼光譜熒光光譜顯微缺陷膜厚半導(dǎo)體晶圓缺陷檢測(cè)儀高光譜測(cè)試系統(tǒng) 太陽能電池量子效率太陽光模擬器IV系統(tǒng) 顯微光電流成像系統(tǒng) 探測(cè)器光響應(yīng)度系統(tǒng) 光譜變溫附件探針臺(tái) 熒光系統(tǒng) 組合熒光系統(tǒng) 鏡頭透過率測(cè)試系統(tǒng) 漫反射率測(cè)試系統(tǒng) 反射、吸收率系統(tǒng) 成像亮度計(jì) 標(biāo)準(zhǔn)燈參考輻射定標(biāo) 電致發(fā)光系統(tǒng) 常規(guī)發(fā)射光譜系統(tǒng) 共聚焦拉曼光譜儀

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超快瞬態(tài)吸收顯微成像系統(tǒng)

該系統(tǒng)設(shè)計(jì)與奧林巴斯倒置顯微鏡和高速CMOS相機(jī)相結(jié)合，用于檢測(cè)微納樣品的光激發(fā)載流子動(dòng)力學(xué)可視化過程；同時(shí)具備微區(qū)瞬態(tài)反射（透射）光譜和動(dòng)力學(xué)測(cè)試功能。系統(tǒng)同時(shí)具備超快時(shí)間分辨（飛秒）和最高500nm的空間分辨能力。

主要技術(shù)指標(biāo)

微區(qū)光譜探測(cè)范圍	400-1500nm
檢測(cè)模式	透射/反射/微區(qū)/成像
最高空間分辨率	500nm
最高時(shí)間分辨率	1.5倍激光脈寬
時(shí)間窗口	8ns
成像波段范圍	400-800nm
成像像素點(diǎn)	640×480
零點(diǎn)前信噪比	≤0.2mOD
設(shè)備拓展性	可拓展常規(guī)樣品室，實(shí)現(xiàn)380-1650nm瞬態(tài)吸收光譜測(cè)試可與低溫恒溫器、探針臺(tái)、電學(xué)調(diào)控裝置和外部磁體耦合

應(yīng)用實(shí)例1 – 微區(qū)透射測(cè)試
實(shí)驗(yàn)條件
激發(fā)光波長(zhǎng)	515nm	掃描延遲時(shí)間點(diǎn)數(shù)	159
物鏡倍數(shù)	50X	掃描次數(shù)	3次
每點(diǎn)積分時(shí)間	1.2s	總測(cè)試時(shí)間	9min45s

應(yīng)用實(shí)例2 – 微區(qū)反射測(cè)試
實(shí)驗(yàn)條件
激發(fā)光波長(zhǎng)	515nm	掃描延遲時(shí)間點(diǎn)數(shù)	59
物鏡倍數(shù)	50X	掃描次數(shù)	3次
每點(diǎn)積分時(shí)間	1.2s	總測(cè)試時(shí)間	9min45s

應(yīng)用實(shí)例3 – 寬場(chǎng)TA成像
實(shí)驗(yàn)條件
激發(fā)光波長(zhǎng)	515nm	采集頻率	1K赫茲
探測(cè)光波長(zhǎng)	660nm	單幅照片積分時(shí)間	1s
樣品名稱	單層WS2(基底:藍(lán)寶石)	掃描點(diǎn)數(shù)	159
物鏡倍數(shù)	50X	掃描次數(shù)	5次
探測(cè)尺寸	30X45微米	總測(cè)試時(shí)間	16min

應(yīng)用實(shí)例4-載流子擴(kuò)散成像
實(shí)驗(yàn)條件
激發(fā)光波長(zhǎng)	400nm	單幅照片積分時(shí)間	6 s
探測(cè)光波長(zhǎng)	650nm	掃描點(diǎn)數(shù)	109
樣品名稱	Bi202Se單晶	掃描次數(shù)	1次
物鏡倍數(shù)	50X	總測(cè)試時(shí)間	11min